具有自对准栅极和场板的半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410650137.5

申请日：

2024-05-24

公开(公告)号：

CN119521731A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

P·雷诺朱从佣

申请人：

恩智浦美国有限公司

申请人地址：

美国

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D64/00 H10D30/01

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

张小稳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

具有场板和多部分栅极结构的半导体装置和其制造方法 [P].

胡杰 ;

B·格罗特 .

美国专利 :CN119029025A ,2024-11-26

[2]

具有多阶梯栅极和多阶梯场板的半导体装置和其制造方法 [P].

贝恩哈德·格罗特 ;

布鲁斯·麦克雷·格林 .

美国专利 :CN119922936A ,2025-05-02

[3]

具有多阶梯栅极和多阶梯场板的半导体装置和其制造方法 [P].

贝恩哈德·格罗特 ;

布鲁斯·麦克雷·格林 .

美国专利 :CN119922937A ,2025-05-02

[4]

具有多阶梯栅极及多阶梯场板的半导体装置及其制造方法 [P].

贝恩哈德·格罗特 ;

布鲁斯·麦克雷·格林 .

美国专利 :CN119947199A ,2025-05-06

[5]

具有沟槽式栅极的半导体装置及其制造方法 [P].

林正平 ;

李培瑛 .

中国专利 :CN100524661C ,2007-08-22

[6]

用于制造具有自对准敷金属的半导体装置的方法 [P].

皮埃尔－让·里贝龙 ;

马克·皮罗 .

中国专利 :CN100452442C ,2006-05-31

[7]

具有自对准场板和台面终端结构的高功率半导体器件及其制造方法 [P].

L·克诺尔 ;

A·米哈埃拉 ;

L·克兰兹 .

中国专利 :CN111837241A ,2020-10-27

[8]

具有对准键的半导体装置及其制造方法 [P].

申树浩 ;

李周益 ;

李俊镐 ;

李基硕 ;

金光敏 ;

文一荣 ;

朴济民 ;

徐范锡 ;

尹灿植 ;

李昊仁 .

中国专利 :CN107887364A ,2018-04-06

[9]

具有自对准触点半导体器件的制造方法 [P].

潘涍同 ;

崔铉哲 ;

崔昌植 .

中国专利 :CN1426101A ,2003-06-25

[10]

制造半导体装置的方法、多栅极半导体装置及其制造方法 [P].

林汶儀 ;

胡希圣 ;

朱崇豪 ;

陈朝祺 .

中国专利 :CN118888444A ,2024-11-01

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