具有多阶梯栅极和多阶梯场板的半导体装置和其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411359982.3

申请日：

2024-09-27

公开(公告)号：

CN119922936A

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

贝恩哈德·格罗特布鲁斯·麦克雷·格林

申请人：

恩智浦美国有限公司

申请人地址：

美国

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D64/00 H10D64/27 H10D30/01

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

孙尚白;潘剑颖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	公开	公开

共 50 条

[1]

具有多阶梯栅极和多阶梯场板的半导体装置和其制造方法 [P].

贝恩哈德·格罗特 ;

布鲁斯·麦克雷·格林 .

美国专利 :CN119922937A ,2025-05-02

[2]

具有多阶梯栅极及多阶梯场板的半导体装置及其制造方法 [P].

贝恩哈德·格罗特 ;

布鲁斯·麦克雷·格林 .

美国专利 :CN119947199A ,2025-05-06

[3]

具有场板和多部分栅极结构的半导体装置和其制造方法 [P].

胡杰 ;

B·格罗特 .

美国专利 :CN119029025A ,2024-11-26

[4]

具有自对准栅极和场板的半导体装置及其制造方法 [P].

P·雷诺 ;

朱从佣 .

美国专利 :CN119521731A ,2025-02-25

[5]

具有多阶梯场板的场效应晶体管 [P].

郭佳 ;

K·博特 ;

S·谢泼德 .

美国专利 :CN119744572A ,2025-04-01

[6]

半导体装置和其制造方法 [P].

菊地修一 ;

西部荣次 ;

铃木琢也 .

中国专利 :CN1373520A ,2002-10-09

[7]

形成阶梯结构的方法以及相关阶梯结构和半导体装置结构 [P].

L·威廉森 ;

A·L·奥尔森 ;

K·贾殷 ;

R·登比 ;

W·R·布朗 .

中国专利 :CN111542918A ,2020-08-14

[8]

半导体装置、半导体晶片和其制造方法 [P].

刘家颖 ;

杨武璋 ;

刘嘉蓉 ;

黄吉志 .

中国专利 :CN112309992A ,2021-02-02

[9]

半导体衬底、半导体装置和其制造方法 [P].

黄喆周 .

中国专利 :CN1801495A ,2006-07-12

[10]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

史蒂文·托马斯·皮克 ;

菲利浦·拉特 ;

克里斯·罗杰斯 .

中国专利 :CN106531808B ,2017-03-22

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