半导体装置和制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610806123.3

申请日：

2016-09-06

公开(公告)号：

CN106531808B

公开(公告)日：

2017-03-22

发明(设计)人：

史蒂文·托马斯·皮克菲利浦·拉特克里斯·罗杰斯

申请人：

申请人地址：

荷兰奈梅亨

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423 H01L2906

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

麦善勇;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	公开	公开
2021-07-09	授权	授权
2017-05-03	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750838756 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016108061233 变更事项:申请人变更前:耐智亚有限公司变更后:安世有限公司变更事项:地址变更前:荷兰艾恩德霍芬变更后:荷兰奈梅亨
2018-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20160906

共 50 条

[1]

制造半导体装置的方法和半导体装置 [P].

金永仁 ;

权炳昊 ;

金睿一 ;

朴钟爀 ;

裴珍宇 ;

宋景浚 ;

蒋明在 ;

周炳秀 .

中国专利 :CN118742027A ,2024-10-01

[2]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

陈尚炫 ;

车贤玖 ;

郑玧京 ;

郑金硕 .

:CN119480805A ,2025-02-18

[3]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

辛基东 ;

朴东久 ;

金进勇 .

中国专利 :CN113675227A ,2021-11-19

[4]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

J·P·约翰 ;

J·A·柯奇斯纳 .

中国专利 :CN110310988A ,2019-10-08

[5]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

川崎洋司 .

中国专利 :CN101140905A ,2008-03-12

[6]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

托尼·坎姆普里思 ;

莱奥·范海默特 ;

汉斯·范赖克福塞尔 ;

萨沙·默勒 ;

哈特莫特·布宁 ;

斯特芬·霍兰 ;

黄仪光 .

中国专利 :CN107017216A ,2017-08-04

[7]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

金进勇 ;

杜旺朱 ;

李相亨 ;

易吉寒 ;

柳智妍 .

中国专利 :CN113410206A ,2021-09-17

[8]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

川崎洋司 .

中国专利 :CN100385624C ,1999-10-13

[9]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

谷口浩二 .

中国专利 :CN1192045A ,1998-09-02

[10]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

金尚汉 ;

康洋金 ;

郑金硕 ;

郑元坤 .

中国专利 :CN115394745A ,2022-11-25

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