半导体装置和制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110258910.X

申请日：

2021-03-10

公开(公告)号：

CN113410206A

公开(公告)日：

2021-09-17

发明(设计)人：

金进勇杜旺朱李相亨易吉寒柳智妍

申请人：

申请人地址：

新加坡市

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L2313 H01L2152 H01L2160

代理机构：

北京寰华知识产权代理有限公司 11408

代理人：

何尤玉;郭仁建

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

金尚汉 ;

康洋金 ;

郑金硕 ;

郑元坤 .

中国专利 :CN115394745A ,2022-11-25

[2]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

舒恩·布尔 ;

松田吉雄 ;

江详烨 ;

金炳辰 ;

金吉江 ;

贝俊明 ;

李胜吴 ;

宋洋合 ;

中岛美希 ;

长泽和昌 ;

中村慎吾 ;

苏菲·奥尔森 ;

金进勇 .

中国专利 :CN114361125A ,2022-04-15

[3]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

矢田贵弘 ;

高岩司 .

中国专利 :CN113013133A ,2021-06-22

[4]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

陈尚炫 ;

车贤玖 ;

郑玧京 ;

郑金硕 .

:CN119480805A ,2025-02-18

[5]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

郑季洋 ;

张胜哲 ;

骆·休莫勒 .

中国专利 :CN113192922A ,2021-07-30

[6]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

辛基东 ;

朴东久 ;

金进勇 .

中国专利 :CN113675227A ,2021-11-19

[7]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

史蒂文·托马斯·皮克 ;

菲利浦·拉特 ;

克里斯·罗杰斯 .

中国专利 :CN106531808B ,2017-03-22

[8]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

J·P·约翰 ;

J·A·柯奇斯纳 .

中国专利 :CN110310988A ,2019-10-08

[9]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

陈尙炫 ;

姜勇辰 ;

郑金硕 ;

郑玧京 ;

车贤玖 .

:CN118231371A ,2024-06-21

[10]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

柳智妍 ;

新及补 ;

李泰勇 ;

金炳辰 .

中国专利 :CN113314477A ,2021-08-27

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