半导体装置和制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910234924.0

申请日：

2019-03-27

公开(公告)号：

CN110310988A

公开(公告)日：

2019-10-08

发明(设计)人：

J·P·约翰 J·A·柯奇斯纳

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L29737

IPC分类号：

H01L2908 H01L2910 H01L21331

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

欧阳帆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/737 申请日:20190327
2019-10-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

陈尚炫 ;

车贤玖 ;

郑玧京 ;

郑金硕 .

:CN119480805A ,2025-02-18

[2]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

中村光宏 ;

佐佐木健次 .

日本专利 :CN120936050A ,2025-11-11

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

刘恒 ;

陈道坤 ;

周文杰 ;

张永旺 ;

储金星 ;

杨晶杰 ;

刘子俭 .

中国专利 :CN117650161B ,2024-08-16

[4]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

辛基东 ;

朴东久 ;

金进勇 .

中国专利 :CN113675227A ,2021-11-19

[5]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

史蒂文·托马斯·皮克 ;

菲利浦·拉特 ;

克里斯·罗杰斯 .

中国专利 :CN106531808B ,2017-03-22

[6]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

本田成人 .

中国专利 :CN102610634B ,2012-07-25

[7]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

邹苹 ;

史世平 ;

何濠启 ;

刘子俭 ;

陈道坤 ;

杨晶杰 ;

储金星 ;

刘恒 ;

张永旺 .

中国专利 :CN118073399A ,2024-05-24

[8]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

金进勇 ;

杜旺朱 ;

李相亨 ;

易吉寒 ;

柳智妍 .

中国专利 :CN113410206A ,2021-09-17

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

史世平 ;

陈道坤 ;

储金星 ;

杨晶杰 ;

何濠启 ;

邹苹 .

中国专利 :CN119153505A ,2024-12-17

[10]

制造半导体装置的方法和半导体装置 [P].

金永仁 ;

权炳昊 ;

金睿一 ;

朴钟爀 ;

裴珍宇 ;

宋景浚 ;

蒋明在 ;

周炳秀 .

中国专利 :CN118742027A ,2024-10-01

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