半导体装置和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510579986.0

申请日：

2025-05-07

公开(公告)号：

CN120936050A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

中村光宏佐佐木健次

申请人：

株式会社村田制作所

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10D10/80

IPC分类号：

H10D64/27 H10D64/23 H10D10/01

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;白银环

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 10/80申请日:20250507

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

中村光宏 ;

佐佐木健次 .

日本专利 :CN120936049A ,2025-11-11

[2]

半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN102239549B ,2011-11-09

[3]

半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN103474354A ,2013-12-25

[4]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

竹内克彦 ;

谷口理 .

中国专利 :CN104106129B ,2014-10-15

[5]

半导体基板、半导体装置、及半导体装置的制造方法 [P].

竹中充 ;

高木信一 ;

秦雅彦 ;

市川磨 .

中国专利 :CN101960605A ,2011-01-26

[6]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

刘恒 ;

陈道坤 ;

周文杰 ;

张永旺 ;

储金星 ;

杨晶杰 ;

刘子俭 .

中国专利 :CN117650161B ,2024-08-16

[7]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

J·P·约翰 ;

J·A·柯奇斯纳 .

中国专利 :CN110310988A ,2019-10-08

[8]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

莫印苏 ;

李文古 ;

李义波 ;

其王门 .

:CN112017975B ,2025-06-03

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

本田成人 .

中国专利 :CN102610634B ,2012-07-25

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

邹苹 ;

史世平 ;

何濠启 ;

刘子俭 ;

陈道坤 ;

杨晶杰 ;

储金星 ;

刘恒 ;

张永旺 .

中国专利 :CN118073399A ,2024-05-24

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