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半导体装置、半导体晶片和其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010171982.6
申请日
:
2020-03-12
公开(公告)号
:
CN112309992A
公开(公告)日
:
2021-02-02
发明(设计)人
:
刘家颖
杨武璋
刘嘉蓉
黄吉志
申请人
:
申请人地址
:
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
:
H01L2302
IPC分类号
:
H01L21762
H01L27146
代理机构
:
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
:
刘媛媛
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-02-02
公开
公开
2022-01-11
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/02 申请日:20200312
共 50 条
[1]
半导体装置制造方法和半导体晶片
[P].
太田祐一
论文数:
0
引用数:
0
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0
太田祐一
;
喜多贤太郎
论文数:
0
引用数:
0
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0
喜多贤太郎
;
大浦雄大
论文数:
0
引用数:
0
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0
大浦雄大
;
吉田宏平
论文数:
0
引用数:
0
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0
吉田宏平
.
中国专利
:CN106920769A
,2017-07-04
[2]
半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法
[P].
林孟汉
论文数:
0
引用数:
0
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0
林孟汉
;
黄家恩
论文数:
0
引用数:
0
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0
黄家恩
.
中国专利
:CN114725123A
,2022-07-08
[3]
半导体器件制造方法和半导体晶片
[P].
义田卓司
论文数:
0
引用数:
0
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0
义田卓司
.
中国专利
:CN108364865A
,2018-08-03
[4]
半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法
[P].
小池貴
论文数:
0
引用数:
0
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0
小池貴
;
高桑真步
论文数:
0
引用数:
0
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0
高桑真步
.
中国专利
:CN112447825A
,2021-03-05
[5]
半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法
[P].
O.布兰克
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
英飞凌科技奥地利有限公司
英飞凌科技奥地利有限公司
O.布兰克
.
:CN110391202B
,2025-03-28
[6]
半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法
[P].
O.布兰克
论文数:
0
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0
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0
O.布兰克
.
中国专利
:CN110391202A
,2019-10-29
[7]
半导体晶片、半导体装置及其制造方法
[P].
上田哲三
论文数:
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上田哲三
;
石田昌宏
论文数:
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石田昌宏
.
中国专利
:CN1467863A
,2004-01-14
[8]
半导体装置、半导体晶片及其制造方法
[P].
杨富量
论文数:
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杨富量
;
杨育佳
论文数:
0
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0
杨育佳
;
陈宏玮
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陈宏玮
;
曹训志
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曹训志
;
胡正明
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0
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胡正明
.
中国专利
:CN1773727A
,2006-05-17
[9]
半导体晶片的制造方法和半导体晶片
[P].
金子忠昭
论文数:
0
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0
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0
金子忠昭
;
大谷升
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大谷升
;
牛尾昌史
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牛尾昌史
;
安达步
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安达步
;
野上晓
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0
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0
野上晓
.
中国专利
:CN103857835A
,2014-06-11
[10]
半导体装置的制造方法、半导体晶片以及半导体装置
[P].
保利幸隆
论文数:
0
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0
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0
保利幸隆
.
中国专利
:CN101145521B
,2008-03-19
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