半导体器件制造方法和半导体晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810018187.6

申请日：

2018-01-09

公开(公告)号：

CN108364865A

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

义田卓司

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

H01L21683 H01L21331 H01L29739

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

韩峰;孙志湧

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/304 申请公布日:20180803
2018-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体晶片及其制造方法 [P].

栗田洋一郎 .

中国专利 :CN101188231A ,2008-05-28

[2]

半导体器件和半导体晶片及其制造方法 [P].

栗田洋一郎 .

中国专利 :CN1716601A ,2006-01-04

[3]

半导体晶片、半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

田中浩治 ;

矶崎诚也 .

中国专利 :CN101546736A ,2009-09-30

[4]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

[5]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN104934407A ,2015-09-23

[6]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN103000589A ,2013-03-27

[7]

半导体晶片、半导体器件及其制造方法 [P].

宫川优一 .

中国专利 :CN1336687A ,2002-02-20

[8]

半导体器件、半导体晶片、半导体组件及半导体器件的制造方法 [P].

荻野雅彦 ;

上野巧 ;

江口州志 ;

永井晃 ;

佐藤俊也 ;

石井利昭 ;

小角博义 ;

濑川正则 ;

露野円丈 ;

西村朝雄 ;

安生一郎 .

中国专利 :CN100487888C ,2000-07-19

[9]

半导体器件及其制造方法和半导体晶片 [P].

伊藤睦祯 .

中国专利 :CN1976015A ,2007-06-06

[10]

半导体晶片和半导体器件 [P].

内藤宽 .

中国专利 :CN2932616Y ,2007-08-08

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