一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法及器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011500532.3

申请日：

2020-12-18

公开(公告)号：

CN112614777A

公开(公告)日：

2021-04-06

发明(设计)人：

李亦衡黄克强刘晓鹏沈峰王强朱廷刚

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢(能华微电子)

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423 G03F742 G03F720

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

王桦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20201218

共 50 条

[1]

用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜 [P].

黄仁安 ;

张启新 ;

杨仁盛 ;

林大为 ;

罗仕豪 ;

叶志扬 ;

林慧雯 ;

高荣辉 ;

涂元添 ;

林焕哲 ;

彭治棠 ;

郑培仁 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102983105B ,2013-03-20

[2]

一种极短沟道纳米墙（NWaFET）器件栅极自对准实现方法 [P].

李平 ;

宋沛林 ;

廖永波 ;

李超 .

中国专利 :CN119132961A ,2024-12-13

[3]

一种极短沟道纳米墙（NWaFET）器件栅极自对准实现方法 [P].

李平 ;

宋沛林 ;

廖永波 ;

李超 .

中国专利 :CN119132961B ,2025-12-09

[4]

自对准埋入式栅极金属MOSFET及制造方法 [P].

黄子伦 .

中国专利 :CN119325257A ,2025-01-17

[5]

自对准埋入式栅极金属IGBT及制造方法 [P].

黄子伦 .

中国专利 :CN119325240A ,2025-01-17

[6]

RFLDMOS器件中自对准低电阻栅极的制备方法 [P].

张帅 ;

遇寒 ;

孙勤 ;

王海军 .

中国专利 :CN102543695A ,2012-07-04

[7]

一种自对准分离栅极结构 [P].

胡强 ;

杨柯 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN216450648U ,2022-05-06

[8]

具有T形栅极电极的半导体器件及其制造方法 [P].

安浩均 ;

文载京 ;

金海千 .

中国专利 :CN1507072A ,2004-06-23

[9]

一种自对准分离栅极结构的制备方法 [P].

胡强 ;

杨柯 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN114068318A ,2022-02-18

[10]

一种自对准分离栅极结构的制备方法 [P].

胡强 ;

杨柯 ;

马克强 ;

王思亮 ;

蒋兴莉 .

中国专利 :CN114068318B ,2024-10-15

← 1 2 3 4 5 →