一种极短沟道纳米墙（NWaFET）器件栅极自对准实现方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411198889.9

申请日：

2024-08-29

公开(公告)号：

CN119132961A

公开(公告)日：

2024-12-13

发明(设计)人：

李平宋沛林廖永波李超

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/78

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	授权	授权
2024-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240829
2024-12-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种极短沟道纳米墙（NWaFET）器件栅极自对准实现方法 [P].

李平 ;

宋沛林 ;

廖永波 ;

李超 .

中国专利 :CN119132961B ,2025-12-09

[2]

一种新型纳米墙（NWaFET）IC基本结构 [P].

廖永波 ;

林嘉诚 ;

李平 ;

彭鹏 .

中国专利 :CN119133239A ,2024-12-13

[3]

一种新型3D纳米墙(NWaFET)CMOS集成电路结构的工艺实现方法 [P].

廖永波 ;

彭鹏 ;

李平 ;

魏超 .

中国专利 :CN120051000A ,2025-05-27

[4]

一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法及器件 [P].

李亦衡 ;

黄克强 ;

刘晓鹏 ;

沈峰 ;

王强 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN112614777A ,2021-04-06

[5]

一种新型级联晶体管的纳米墙(NWaFET)IC结构 [P].

李平 ;

李超 ;

廖永波 ;

付兴 .

中国专利 :CN119133181A ,2024-12-13

[6]

一种带有铁电材料的新型纳米墙（NWaFET）IC基本结构 [P].

李平 ;

付兴 ;

廖永波 ;

宋沛林 .

中国专利 :CN119133180A ,2024-12-13

[7]

一种漏区自对准垂直沟道MOS集成电路单元结构及其实现方法 [P].

李平 ;

彭辰曦 ;

廖永波 ;

杨智尧 ;

刘金铭 ;

刘玉婷 ;

刘仰猛 .

中国专利 :CN114823861A ,2022-07-29

[8]

一种InGaAs沟道自对准MOSFET器件结构 [P].

刘丽蓉 ;

马莉 ;

夏校军 .

中国专利 :CN105789273A ,2016-07-20

[9]

一种新型纳米墙NWaFET的制作及其验证方法 [P].

廖永波 ;

冯珂 ;

刘仰猛 ;

刘玉婷 ;

徐璐 ;

路远 ;

黄乐天 .

中国专利 :CN115206805B ,2025-08-29

[10]

一种具有自对准接触孔的表面沟道PMOS器件及制作方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN101752313B ,2010-06-23

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