一种InGaAs沟道自对准MOSFET器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511031340.1

申请日：

2015-12-30

公开(公告)号：

CN105789273A

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

刘丽蓉马莉夏校军

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市东城区主山东城中路南81号辉煌商务大厦6楼C10

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L29423 H01L2945 H01L2978

代理机构：

广东莞信律师事务所 44332

代理人：

吴炳贤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-20	公开	公开
2018-09-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/417 登记生效日:20180831 变更事项:申请人变更前权利人:东莞市青麦田数码科技有限公司变更后权利人:东莞市广信知识产权服务有限公司变更事项:地址变更前权利人:523000 广东省东莞市东城区主山东城中路南81号辉煌商务大厦6楼C10 变更后权利人:523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区国际金融创新园6B栋301室
2020-07-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/417 申请公布日:20160720
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674700520 IPC(主分类):H01L 29/417 专利申请号:2015110313401 申请日:20151230

共 50 条

[1]

一种InGaAs MOSFET器件结构 [P].

刘丽蓉 ;

马莉 ;

夏校军 .

中国专利 :CN105789310A ,2016-07-20

[2]

一种自对准MOSFET器件的制作方法 [P].

刘丽蓉 .

中国专利 :CN105655256A ,2016-06-08

[3]

一种硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件 [P].

李海鸥 ;

王博 ;

邹锋 ;

刘洪刚 ;

高喜 ;

李琦 ;

蒋振荣 ;

张法碧 ;

陈永和 ;

肖功利 ;

李跃 .

中国专利 :CN207441705U ,2018-06-01

[4]

一种沟道自对准的碳化硅MOSFET器件的制备方法 [P].

葛欢 ;

李哲洋 ;

朱涛 ;

金锐 ;

孙俊敏 ;

常树丞 .

中国专利 :CN121099655A ,2025-12-09

[5]

一种具有自对准沟道的碳化硅MOSFET器件制备方法 [P].

刘坤 ;

刘杰 .

中国专利 :CN115101405A ,2022-09-23

[6]

一种硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法 [P].

李海鸥 ;

王博 ;

邹锋 ;

刘洪刚 ;

高喜 ;

李琦 ;

蒋振荣 ;

张法碧 ;

陈永和 ;

肖功利 ;

李跃 .

中国专利 :CN107833923A ,2018-03-23

[7]

一种自对准的碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN222840000U ,2025-05-06

[8]

一种自对准结构MOSFET的制备方法 [P].

刘道国 .

中国专利 :CN115101418A ,2022-09-23

[9]

自对准沟槽MOSFET的结构和方法 [P].

哈姆扎·耶尔马兹 .

中国专利 :CN111727491B ,2020-09-29

[10]

一种SiC MOSFET沟道型器件 [P].

林张鸿 ;

黎明 ;

赵炎 ;

冯小涛 .

中国专利 :CN220526924U ,2024-02-23

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