一种自对准MOSFET器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511029529.7

申请日：

2015-12-30

公开(公告)号：

CN105655256A

公开(公告)日：

2016-06-08

发明(设计)人：

刘丽蓉

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市东城区主山东城中路南81号辉煌商务大厦6楼C10

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

广东莞信律师事务所 44332

代理人：

吴炳贤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669303310 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015110295297 申请日:20151230
2019-08-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20160608
2016-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种InGaAs沟道自对准MOSFET器件结构 [P].

刘丽蓉 ;

马莉 ;

夏校军 .

中国专利 :CN105789273A ,2016-07-20

[2]

源漏自对准的MOS器件及其制作方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

卢力 ;

王虹 ;

薛百清 ;

孙兵 .

中国专利 :CN102569399A ,2012-07-11

[3]

MOSFET器件的制作方法及MOSFET器件 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106158642A ,2016-11-23

[4]

MOSFET器件和MOSFET器件的制作方法 [P].

刘浩文 ;

马万里 ;

闫正坤 .

中国专利 :CN119153533A ,2024-12-17

[5]

一种分裂栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

宋阳 ;

肖璇 ;

叶俊 ;

黄功宇 ;

杨治宇 .

中国专利 :CN118507507A ,2024-08-16

[6]

MOSFET器件的制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106158652A ,2016-11-23

[7]

MOSFET器件的制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106158629A ,2016-11-23

[8]

一种InGaAs MOSFET器件结构 [P].

刘丽蓉 ;

马莉 ;

夏校军 .

中国专利 :CN105789310A ,2016-07-20

[9]

一种自对准的碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN222840000U ,2025-05-06

[10]

一种高压MOSFET器件及其制作方法 [P].

潘伯津 ;

朱克宝 ;

李仁雄 ;

彭路露 ;

宁宁 .

中国专利 :CN115763258B ,2025-09-05

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