一种InGaAs MOSFET器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511031220.1

申请日：

2015-12-30

公开(公告)号：

CN105789310A

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

刘丽蓉马莉夏校军

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市东城区主山东城中路南81号辉煌商务大厦6楼C10

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2910 H01L2906

代理机构：

广东莞信律师事务所 44332

代理人：

吴炳贤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674700444 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015110312201 申请日:20151230
2016-07-20	公开	公开
2019-11-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20160720

共 50 条

[1]

一种InGaAs沟道自对准MOSFET器件结构 [P].

刘丽蓉 ;

马莉 ;

夏校军 .

中国专利 :CN105789273A ,2016-07-20

[2]

一种硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件 [P].

李海鸥 ;

王博 ;

邹锋 ;

刘洪刚 ;

高喜 ;

李琦 ;

蒋振荣 ;

张法碧 ;

陈永和 ;

肖功利 ;

李跃 .

中国专利 :CN207441705U ,2018-06-01

[3]

一种自对准MOSFET器件的制作方法 [P].

刘丽蓉 .

中国专利 :CN105655256A ,2016-06-08

[4]

一种低导通电阻MOSFET器件结构 [P].

张海峰 ;

宋宁 ;

朱小燕 ;

刘中梦雪 .

中国专利 :CN117727783A ,2024-03-19

[5]

一种硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法 [P].

李海鸥 ;

王博 ;

邹锋 ;

刘洪刚 ;

高喜 ;

李琦 ;

蒋振荣 ;

张法碧 ;

陈永和 ;

肖功利 ;

李跃 .

中国专利 :CN107833923A ,2018-03-23

[6]

一种MOSFET器件结构 [P].

陶永洪 ;

蔡文必 ;

郭元旭 ;

彭志高 ;

李立均 .

中国专利 :CN214797427U ,2021-11-19

[7]

一种MOSFET器件的版图结构及MOSFET器件 [P].

陈雪萌 ;

王艳颖 ;

钱晓霞 .

中国专利 :CN114548016A ,2022-05-27

[8]

一种MOSFET器件 [P].

金成汉 .

中国专利 :CN205159322U ,2016-04-13

[9]

一种MOSFET器件 [P].

完颜文娟 ;

袁力鹏 ;

范玮 ;

常虹 .

中国专利 :CN213601874U ,2021-07-02

[10]

一种MOSFET器件 [P].

吉扬永 .

中国专利 :CN201898135U ,2011-07-13

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