一种MOSFET器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022524966.9

申请日：

2020-11-04

公开(公告)号：

CN213601874U

公开(公告)日：

2021-07-02

发明(设计)人：

完颜文娟袁力鹏范玮常虹

申请人：

申请人地址：

710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

党娟娟;郭永丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种沟槽MOSFET器件 [P].

袁力鹏 ;

唐呈前 ;

李生龙 ;

杨科 ;

夏亮 ;

完颜文娟 ;

常虹 .

中国专利 :CN212587512U ,2021-02-23

[2]

一种MOSFET器件终端 [P].

袁力鹏 ;

范玮 ;

完颜文娟 ;

常虹 .

中国专利 :CN213601873U ,2021-07-02

[3]

一种自对准的碳化硅MOSFET器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN222840000U ,2025-05-06

[4]

一种MOSFET器件及制备方法 [P].

完颜文娟 ;

袁力鹏 ;

范玮 ;

常虹 .

中国专利 :CN112234103B ,2024-12-10

[5]

一种MOSFET器件及制备方法 [P].

完颜文娟 ;

袁力鹏 ;

范玮 ;

常虹 .

中国专利 :CN112234103A ,2021-01-15

[6]

一种沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

袁力鹏 ;

唐呈前 ;

李生龙 ;

杨科 ;

夏亮 ;

完颜文娟 ;

常虹 .

中国专利 :CN111799332A ,2020-10-20

[7]

一种MOSFET器件 [P].

金成汉 .

中国专利 :CN205159322U ,2016-04-13

[8]

一种低功耗功率MOSFET器件 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN209216982U ,2019-08-06

[9]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

徐守一 ;

陈志鹏 ;

赖银坤 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN120358769A ,2025-07-22

[10]

一种MOSFET器件及其制造方法 [P].

徐守一 ;

赖银坤 ;

陈志鹏 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN120358768A ,2025-07-22

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