用于高k/金属栅工艺流程的自对准接触

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280004545.9

申请日：

2012-01-03

公开(公告)号：

CN103299428B

公开(公告)日：

2013-09-11

发明(设计)人：

R·拉玛钱德兰 R·迪瓦卡鲁尼李影

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

酆迅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101529123756 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012800045459 申请日:20120103
2013-09-11	公开	公开
2017-11-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20171107 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约阿芒克变更后权利人:美国纽约
2017-11-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20171107 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2016-04-13	授权	授权

共 50 条

[1]

用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜 [P].

黄仁安 ;

张启新 ;

杨仁盛 ;

林大为 ;

罗仕豪 ;

叶志扬 ;

林慧雯 ;

高荣辉 ;

涂元添 ;

林焕哲 ;

彭治棠 ;

郑培仁 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102983105B ,2013-03-20

[2]

金属栅/高K栅介质制备工艺及双金属栅CMOS的制备方法 [P].

康晋锋 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

韩汝琦 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1832113A ,2006-09-13

[3]

存储器晶体管到高K、金属栅极CMOS工艺流程中的集成 [P].

克里希纳斯瓦米·库马尔 .

中国专利 :CN108493101B ,2018-09-04

[4]

存储器晶体管到高K、金属栅极CMOS工艺流程中的集成 [P].

克里希纳斯瓦米·库马尔 .

中国专利 :CN105340068A ,2016-02-17

[5]

制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104658966B ,2015-05-27

[6]

用于自对准接触的混合膜方案 [P].

吕建宏 ;

何彩蓉 ;

谢博全 ;

施伯铮 ;

李资良 .

中国专利 :CN114628505A ,2022-06-14

[7]

用于垂直FET的自对准接触的自对准隔离 [P].

克利福德·德劳利 ;

崔浩 ;

安德鲁·爱德华兹 ;

苏巴什·斯里尼瓦·皮达帕蒂 .

中国专利 :CN113948393A ,2022-01-18

[8]

用于形成自对准金属硅化物接触的方法 [P].

方隼飞 ;

伦道夫·F·克纳尔 ;

马哈德瓦尔耶·克里施南 ;

克里斯琴·拉沃伊 ;

雷内·T·莫 ;

巴拉萨拉曼兰·普拉纳萨蒂哈兰 ;

杰伊·W·斯特拉尼 .

中国专利 :CN101432860A ,2009-05-13

[9]

高K金属栅结构 [P].

察明扬 ;

张志诚 .

中国专利 :CN115000163A ,2022-09-02

[10]

用于形成结绝缘区域的自对准注入工艺 [P].

曾建贤 ;

伍寿国 ;

陈嘉展 ;

吴国裕 ;

杨道宏 ;

钟敏豪 .

中国专利 :CN103456789B ,2013-12-18

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