制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310591094.X

申请日：

2013-11-21

公开(公告)号：

CN104658966B

公开(公告)日：

2015-05-27

发明(设计)人：

韩秋华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21308 H01L21311

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

高伟;付伟佳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	公开	公开
2015-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101614575826 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:201310591094X 申请日:20131121
2018-06-05	授权	授权

共 50 条

[1]

金属栅晶体管的制造方法 [P].

张鹏 .

中国专利 :CN115116836A ,2022-09-27

[2]

高K金属栅MOS晶体管的制造方法 [P].

张盛东 ;

韩汝琦 ;

韩德栋 .

中国专利 :CN102110614A ,2011-06-29

[3]

高K金属栅晶体管的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106847685A ,2017-06-13

[4]

金属栅MOS晶体管的制造方法 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN113517194A ,2021-10-19

[5]

金属栅MOS晶体管 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN110444593A ,2019-11-12

[6]

高K栅介电层的制作方法及形成MOS晶体管的方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102386079B ,2012-03-21

[7]

金属栅极晶体管的制作方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103531469B ,2014-01-22

[8]

高K金属栅极半导体晶体管的结构 [P].

尹海洲 ;

朴大奎 ;

O.格鲁申科夫 ;

骆志炯 ;

D.谢皮斯 ;

袁骏 .

中国专利 :CN102456720B ,2012-05-16

[9]

金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106920771A ,2017-07-04

[10]

金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106920750A ,2017-07-04

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