金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511003230.4

申请日：

2015-12-28

公开(公告)号：

CN106920750A

公开(公告)日：

2017-07-04

发明(设计)人：

赵杰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-04	公开	公开
2017-07-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101737365369 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015110032304 申请日:20151228
2019-11-05	授权	授权

共 50 条

[1]

金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106920771A ,2017-07-04

[2]

具有外延源区和漏区的金属栅晶体管 [P].

N·林德特 ;

J·布拉斯克 ;

A·韦斯特梅耶 .

中国专利 :CN103560150B ,2014-02-05

[3]

具有外延源区和漏区的金属栅晶体管 [P].

N·林德特 ;

J·布拉斯克 ;

A·韦斯特梅耶 .

中国专利 :CN101027763A ,2007-08-29

[4]

形成突变的源漏金属栅晶体管 [P].

N·林德特 ;

S·达塔 ;

J·卡瓦利罗斯 ;

M·多茨 ;

M·梅茨 ;

J·布拉斯克 ;

R·曹 ;

M·博尔 ;

A·墨菲 .

中国专利 :CN101006569B ,2007-07-25

[5]

金属栅极晶体管的制作方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103531469B ,2014-01-22

[6]

制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104658966B ,2015-05-27

[7]

CMOS晶体管金属栅极的制作方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103165534B ,2013-06-19

[8]

金属栅晶体管的制造方法 [P].

张鹏 .

中国专利 :CN115116836A ,2022-09-27

[9]

栅介质层的制作方法、晶体管的制作方法 [P].

何永根 ;

陈勇 .

中国专利 :CN103295891A ,2013-09-11

[10]

金属栅MOS晶体管 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN110444593A ,2019-11-12

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