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高K栅介电层的制作方法及形成MOS晶体管的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010275175.5
申请日：
2010-09-02
公开(公告)号：
CN102386079B
公开(公告)日：
2012-03-21
发明(设计)人：
三重野文健
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21265
H01L21336
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
骆苏华
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2013-05-29 | 授权 | 授权 |
| 2012-03-21 | 公开 | 公开 |
| 2012-05-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101237310417 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2010102751755 申请日:20100902 |
| 2012-12-12 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101483546416 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2010102751755 变更事项:申请人 变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号 变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号 变更事项:申请人 变更前权利人:无 变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 登记生效日:20121108 |