MOS晶体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910054094.X

申请日：

2009-06-26

公开(公告)号：

CN101930922B

公开(公告)日：

2010-12-29

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L21265

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-07	授权	授权
2011-02-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101037113723 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:200910054094X 申请日:20090626
2010-12-29	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930924A ,2010-12-29

[2]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930923A ,2010-12-29

[3]

MOS晶体管的制作方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN103794503A ,2014-05-14

[4]

MOS晶体管的制作方法 [P].

王乐 ;

桂林春 ;

祝孔维 ;

赵志勇 .

中国专利 :CN102087981A ,2011-06-08

[5]

MOS晶体管的制作方法 [P].

隋运奇 ;

孟晓莹 .

中国专利 :CN103681324A ,2014-03-26

[6]

MOS晶体管的制作方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN102214575A ,2011-10-12

[7]

MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105529265A ,2016-04-27

[8]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

肖德元 ;

季明华 .

中国专利 :CN101930920A ,2010-12-29

[9]

MOS晶体管的制作方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN103871968A ,2014-06-18

[10]

MOS晶体管的制作方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN105719970B ,2016-06-29

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