MOS晶体管的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010144271.6
申请日
2010-04-02
公开(公告)号
CN102214575A
公开(公告)日
2011-10-12
发明(设计)人
李敏
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2128
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
李丽
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101930922B ,2010-12-29
[2]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101930923A ,2010-12-29
[3]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
王乐 ;
桂林春 ;
祝孔维 ;
赵志勇 .
中国专利 :CN102087981A ,2011-06-08
[4]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101930924A ,2010-12-29
[5]
MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管 [P]. 
刘佳磊 .
中国专利 :CN105529265A ,2016-04-27
[6]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
于书坤 ;
韦庆松 .
中国专利 :CN105719970B ,2016-06-29
[7]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
陈维邦 ;
吴志楠 ;
郑志成 .
中国专利 :CN114373681A ,2022-04-19
[8]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN104821276B ,2015-08-05
[9]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
于书坤 ;
韦庆松 .
中国专利 :CN103871968A ,2014-06-18
[10]
MOS晶体管的制作方法 [P]. 
刘焕新 .
中国专利 :CN103794503A ,2014-05-14