MOS晶体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910251367.X

申请日：

2009-12-03

公开(公告)号：

CN102087981A

公开(公告)日：

2011-06-08

发明(设计)人：

王乐桂林春祝孔维赵志勇

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265 H01L21425

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-08	公开	公开
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101089510914 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:200910251367X 申请日:20091203
2013-03-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101532396682 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:200910251367X 申请公布日:20110608

共 50 条

[1]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930922B ,2010-12-29

[2]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930923A ,2010-12-29

[3]

MOS晶体管的制作方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN102214575A ,2011-10-12

[4]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930924A ,2010-12-29

[5]

MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105529265A ,2016-04-27

[6]

MOS晶体管的制作方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN105719970B ,2016-06-29

[7]

MOS晶体管的制作方法 [P].

陈维邦 ;

吴志楠 ;

郑志成 .

中国专利 :CN114373681A ,2022-04-19

[8]

MOS晶体管的制作方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN103794503A ,2014-05-14

[9]

MOS晶体管的制作方法 [P].

隋运奇 ;

孟晓莹 .

中国专利 :CN103681324A ,2014-03-26

[10]

MOS晶体管的制作方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN104821276B ,2015-08-05

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