高K金属栅结构

被引：0

申请号：

CN202210493205.2

申请日：

2022-05-07

公开(公告)号：

CN115000163A

公开(公告)日：

2022-09-02

发明(设计)人：

察明扬张志诚

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2951

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20220507
2022-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

高K金属栅结构的制备方法 [P].

张子莹 .

中国专利 :CN104051252A ,2014-09-17

[2]

高K金属栅电极的制作方法及其高K金属栅结构 [P].

韩秋华 ;

黄怡 ;

孟晓莹 .

中国专利 :CN103187255A ,2013-07-03

[3]

一种高K/金属栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法 [P].

张卫 ;

王晨 ;

田梓良 ;

何振宇 ;

顾正豪 ;

李涵 ;

甘露荣 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN110416084A ,2019-11-05

[4]

金属栅/高K栅介质制备工艺及双金属栅CMOS的制备方法 [P].

康晋锋 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

韩汝琦 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1832113A ,2006-09-13

[5]

一种高K金属栅的形成方法 [P].

刘英明 ;

鲍宇 ;

周海锋 ;

方精训 .

中国专利 :CN106298491B ,2017-01-04

[6]

高k金属栅工艺中去除伪栅极的方法 [P].

赵晶 ;

钱亚峰 .

中国专利 :CN119297077A ,2025-01-10

[7]

金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法 [P].

李永亮 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN102386076B ,2012-03-21

[8]

一种双高K栅介质/金属栅结构的制作方法 [P].

周军 ;

毛智彪 .

中国专利 :CN102332398B ,2012-01-25

[9]

一种双高K栅介质/金属栅结构的制作方法 [P].

周军 ;

毛智彪 .

中国专利 :CN102332397A ,2012-01-25

[10]

抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法 [P].

王文武 ;

陈世杰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN101783298B ,2010-07-21

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