一种高K金属栅的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610984923.4

申请日：

2016-11-09

公开(公告)号：

CN106298491B

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

刘英明鲍宇周海锋方精训

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	公开	公开
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700836486 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2016109849234 申请日:20161109
2019-03-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种金属栅的形成方法 [P].

刘英明 .

中国专利 :CN106409666A ,2017-02-15

[2]

金属栅形成方法 [P].

刘英明 ;

鲍宇 ;

周海锋 ;

方精训 .

中国专利 :CN106328510A ,2017-01-11

[3]

金属栅电极层的形成方法 [P].

王庆玲 ;

邵群 .

中国专利 :CN103117215B ,2013-05-22

[4]

高K电介质金属栅器件结构及其形成方法 [P].

曾伟雄 ;

林纲正 ;

杨知一 ;

黄国泰 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101425479A ,2009-05-06

[5]

高K金属栅晶体管的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106847685A ,2017-06-13

[6]

高K金属栅CMOS器件及其形成方法 [P].

库尔班·阿吾提 .

中国专利 :CN105448831A ,2016-03-30

[7]

高K金属栅结构 [P].

察明扬 ;

张志诚 .

中国专利 :CN115000163A ,2022-09-02

[8]

一种金属栅极的形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102543699A ,2012-07-04

[9]

金属栅的形成方法 [P].

钟旻 ;

黄仁东 .

中国专利 :CN104979180A ,2015-10-14

[10]

高k金属栅工艺中去除伪栅极的方法 [P].

赵晶 ;

钱亚峰 .

中国专利 :CN119297077A ,2025-01-10

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