鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811638216.5

申请日：

2018-12-29

公开(公告)号：

CN111384173A

公开(公告)日：

2020-07-07

发明(设计)人：

王楠

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336 H01L2102 H01L2906

代理机构：

上海德禾翰通律师事务所 31319

代理人：

侯莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-07	公开	公开
2020-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20181229

共 50 条

[1]

鳍部、鳍式场效应管及鳍部和鳍式场效应管的形成方法 [P].

王新鹏 ;

三重野文健 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103578988A ,2014-02-12

[2]

鳍式场效应管基体的形成方法及鳍式场效应管 [P].

焦明洁 ;

陈勇 .

中国专利 :CN103489780A ,2014-01-01

[3]

鳍式场效应管、CMOS鳍式场效应管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103021827A ,2013-04-03

[4]

负电容鳍式场效应管的制备方法及负电容鳍式场效应管 [P].

张日清 ;

夏禹 .

中国专利 :CN112997318A ,2021-06-18

[5]

鳍式场效应管的鳍部以及鳍式场效应管的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103177948B ,2013-06-26

[6]

鳍式场效应管及其制备方法 [P].

陈涛 ;

张帅博 ;

朱梦媚 .

中国专利 :CN118825079B ,2025-01-24

[7]

鳍式场效应管及其制备方法 [P].

张焕云 ;

吴健 .

中国专利 :CN110571142B ,2019-12-13

[8]

鳍式场效应管及其制备方法 [P].

陈涛 ;

张帅博 ;

朱梦媚 .

中国专利 :CN118825079A ,2024-10-22

[9]

鳍式场效应管的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107919283A ,2018-04-17

[10]

鳍式场效应管基体制备方法 [P].

黄秋铭 .

中国专利 :CN105070659A ,2015-11-18

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