表面粗化的LED外延片及其制备方法、LED

被引：0

申请号：

CN202211212636.3

申请日：

2022-09-30

公开(公告)号：

CN115621375A

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

周志兵张星星林潇雄胡加辉金从龙

申请人：

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3322

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

王建宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20220930
2023-01-17	公开	公开

共 50 条

[1]

表面粗化的LED外延片及其制备方法、LED [P].

周志兵 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115621375B ,2025-08-15

[2]

GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117712247A ,2024-03-15

[3]

深紫外LED外延片及其制备方法、LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115332408A ,2022-11-11

[4]

Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118888661A ,2024-11-01

[5]

Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118888661B ,2024-12-17

[6]

GaN基绿光LED外延片及其制备方法、LED [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117239025B ,2024-02-20

[7]

低电压Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119069598B ,2025-03-14

[8]

低电压Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119069598A ,2024-12-03

[9]

Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119364943A ,2025-01-24

[10]

Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119230678B ,2025-03-18

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