一种高纯硅的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310034809.1

申请日：

2013-01-30

公开(公告)号：

CN103072992A

公开(公告)日：

2013-05-01

发明(设计)人：

马文会余文轴魏奎先任永生伍继君谢克强刘永成周阳郁青春刘大春杨斌戴永年

申请人：

申请人地址：

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101465133151 IPC(主分类):C01B 33/037 专利申请号:2013100348091 申请日:20130130
2016-03-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101728486420 IPC(主分类):C01B 33/037 专利申请号:2013100348091 申请公布日:20130501
2013-05-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种感应熔炼高硅废料制备高纯硅/硅合金的方法 [P].

邢鹏飞 ;

孔剑 ;

庄艳歆 ;

魏冬卉 ;

金星 ;

尹华意 ;

高波 ;

冯忠宝 .

中国专利 :CN109052409A ,2018-12-21

[2]

电磁法制备高纯硅及铝硅合金的方法 [P].

马文会 ;

余文轴 ;

魏奎先 ;

谢克强 ;

周阳 ;

郁青春 ;

刘永成 ;

周晓奎 ;

陈建云 ;

刘大春 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN102373351B ,2012-03-14

[3]

一种高纯硅的制备方法 [P].

马文会 ;

戴永年 ;

杨斌 ;

刘大春 ;

吕东 ;

魏奎先 ;

梅向阳 ;

伍继君 ;

汪镜福 ;

徐宝强 ;

郁青春 ;

秦博 .

中国专利 :CN101372334A ,2009-02-25

[4]

一种高纯硅的制备方法 [P].

魏创林 ;

魏伟 ;

王凯 ;

魏佳新 ;

魏波 ;

李健仁 ;

寇娟 .

中国专利 :CN117800343A ,2024-04-02

[5]

一种高纯硅的制备方法 [P].

魏创林 ;

魏伟 ;

王凯 ;

魏佳新 ;

魏波 ;

李健仁 ;

寇娟 .

中国专利 :CN117800343B ,2024-10-22

[6]

高纯硅的制备方法 [P].

伊藤信明 ;

近藤次郎 ;

冈泽健介 ;

冈岛正树 .

中国专利 :CN101137578A ,2008-03-05

[7]

制备高纯硅的方法 [P].

J·哈恩 ;

U·克拉特 ;

C·施米德 .

中国专利 :CN103052594A ,2013-04-17

[8]

高纯硅的制备方法 [P].

伊藤信明 ;

近藤次郎 ;

冈泽健介 ;

冈岛正树 .

中国专利 :CN101137577A ,2008-03-05

[9]

高纯硅的制备方法 [P].

伊藤信明 .

中国专利 :CN101137575A ,2008-03-05

[10]

高纯硅的制备方法 [P].

伊藤信明 ;

近藤次郎 ;

冈泽健介 ;

冈岛正树 .

中国专利 :CN101137576A ,2008-03-05

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