一种硅基铌酸锂混合电光调制器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010922441.2

申请日：

2020-09-04

公开(公告)号：

CN112363331B

公开(公告)日：

2021-02-12

发明(设计)人：

戴道锌潘炳呈

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

G02F1035

IPC分类号：

G02B6122

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

林超

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-27	授权	授权
2021-02-12	公开	公开
2021-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/035 申请日:20200904

共 50 条

[1]

硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列 [P].

邹卫文 ;

徐绍夫 ;

王静 ;

陈建平 .

中国专利 :CN110187526A ,2019-08-30

[2]

基于铌酸锂材料的电光调制器 [P].

何云涛 ;

王磊 ;

杜英杰 ;

曹玉 .

中国专利 :CN206618914U ,2017-11-07

[3]

硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列集成的方法 [P].

邹卫文 ;

徐绍夫 ;

王静 ;

陈建平 .

中国专利 :CN110161625B ,2019-08-23

[4]

一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 .

中国专利 :CN112835214A ,2021-05-25

[5]

一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 .

中国专利 :CN211506095U ,2020-09-15

[6]

一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及调制器 [P].

李萍 .

中国专利 :CN112835215B ,2021-05-25

[7]

一种基于硅基异质集成薄膜铌酸锂平台的电光调制器 [P].

蔡艳 ;

张建民 ;

李卓芸 ;

王书晓 .

中国专利 :CN119937190A ,2025-05-06

[8]

铌酸锂高频微型电光调制器芯片结构 [P].

华平壤 ;

姜城 .

中国专利 :CN208953815U ,2019-06-07

[9]

一种基于狭缝型硅-铌酸锂薄膜的电光调制器 [P].

万厚钊 ;

张俊伟 ;

王浩 ;

冯辰胤 ;

桃李 ;

张军 .

中国专利 :CN121069653A ,2025-12-05

[10]

一种铌酸锂电光调制器 [P].

周建伟 ;

夏君磊 ;

郑国康 ;

刘瑞丹 ;

乔建坤 ;

宁智超 ;

徐玉亮 .

中国专利 :CN108681111B ,2018-10-19

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