铌酸锂高频微型电光调制器芯片结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821772681.3

申请日：

2018-10-30

公开(公告)号：

CN208953815U

公开(公告)日：

2019-06-07

发明(设计)人：

华平壤姜城

申请人：

申请人地址：

300000 天津市滨海新区经济技术开发区黄海路276号泰达中小企业园2号楼602

IPC主分类号：

G02F103

IPC分类号：

G02F1035

代理机构：

北京沁优知识产权代理事务所(普通合伙) 11684

代理人：

汪发成

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种铌酸锂电光调制器芯片 [P].

周建伟 ;

夏君磊 ;

郑国康 ;

刘瑞丹 ;

乔建坤 ;

宁智超 ;

徐玉亮 .

中国专利 :CN108663827A ,2018-10-16

[2]

铌酸锂调制器的芯片布局结构 [P].

陆明之 .

中国专利 :CN216248666U ,2022-04-08

[3]

硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列 [P].

邹卫文 ;

徐绍夫 ;

王静 ;

陈建平 .

中国专利 :CN110187526A ,2019-08-30

[4]

基于铌酸锂材料的电光调制器 [P].

何云涛 ;

王磊 ;

杜英杰 ;

曹玉 .

中国专利 :CN206618914U ,2017-11-07

[5]

一种铌酸锂电光调制器芯片 [P].

周建伟 ;

夏君磊 ;

刘瑞丹 ;

宁智超 ;

乔建坤 ;

徐玉亮 .

中国专利 :CN207752267U ,2018-08-21

[6]

一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及调制器 [P].

李萍 .

中国专利 :CN112835215B ,2021-05-25

[7]

基于缺陷结构的周期极化铌酸锂的电光调制器 [P].

陆延青 ;

宋晓诗 ;

徐飞 .

中国专利 :CN102360130A ,2012-02-22

[8]

一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 .

中国专利 :CN112835214A ,2021-05-25

[9]

一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 .

中国专利 :CN211506095U ,2020-09-15

[10]

硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列集成的方法 [P].

邹卫文 ;

徐绍夫 ;

王静 ;

陈建平 .

中国专利 :CN110161625B ,2019-08-23

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