一种铌酸锂电光调制器芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810272816.8

申请日：

2018-03-29

公开(公告)号：

CN108663827A

公开(公告)日：

2018-10-16

发明(设计)人：

周建伟夏君磊郑国康刘瑞丹乔建坤宁智超徐玉亮

申请人：

申请人地址：

100094 北京市海淀区丰滢东路1号

IPC主分类号：

G02F103

IPC分类号：

G02F1035

代理机构：

中国航天科技专利中心 11009

代理人：

张丽娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/03 申请日:20180329
2018-10-16	公开	公开
2022-03-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02F 1/03 申请公布日:20181016

共 50 条

[1]

一种铌酸锂电光调制器芯片 [P].

周建伟 ;

夏君磊 ;

刘瑞丹 ;

宁智超 ;

乔建坤 ;

徐玉亮 .

中国专利 :CN207752267U ,2018-08-21

[2]

一种铌酸锂电光调制器 [P].

周建伟 ;

夏君磊 ;

郑国康 ;

刘瑞丹 ;

乔建坤 ;

宁智超 ;

徐玉亮 .

中国专利 :CN108681111B ,2018-10-19

[3]

铌酸锂高频微型电光调制器芯片结构 [P].

华平壤 ;

姜城 .

中国专利 :CN208953815U ,2019-06-07

[4]

一种低驱动电压铌酸锂电光调制器 [P].

李萍 ;

范宝泉 ;

尚含予 .

中国专利 :CN206470492U ,2017-09-05

[5]

一种铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P].

黄瑞 ;

梁磊 ;

骆晨 ;

王伟 ;

胡剑凌 .

中国专利 :CN120848049A ,2025-10-28

[6]

一种铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P].

陈玉萍 ;

刘一岸 ;

陈险峰 ;

颜雄硕 .

中国专利 :CN114609805B ,2025-04-18

[7]

一种铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P].

陈玉萍 ;

刘一岸 ;

陈险峰 ;

颜雄硕 .

中国专利 :CN114609805A ,2022-06-10

[8]

一种多层薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

张维佳 ;

罗雪婷 ;

刘婷 ;

李佳琦 ;

张文轩 ;

刘体辉 .

中国专利 :CN220569033U ,2024-03-08

[9]

一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

余华 ;

刘玉山 ;

陈冠宇 ;

李春德 .

中国专利 :CN119805796B ,2025-10-17

[10]

一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

朱赟 .

中国专利 :CN221782532U ,2024-09-27

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