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一种铌酸锂电光调制器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510944489.6
申请日：
2025-07-09
公开(公告)号：
CN120848049A
公开(公告)日：
2025-10-28
发明(设计)人：
黄瑞 梁磊 骆晨 王伟 胡剑凌
申请人：
无锡学院
申请人地址：
214105 江苏省无锡市锡山区锡山大道333号
IPC主分类号：
G02F1/035
IPC分类号：
G02F1/03 G02B6/124 G02B6/122 G02B6/125 G02B6/132 G02B6/134 G02B6/136
代理机构：
广州粤高专利商标代理有限公司 44102
代理人：
牛念
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-28 公开 公开
2025-11-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/035申请日:20250709
共 50 条
[1]
一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
刘柳 ;
陈耿鑫 ;
阮子良 ;
薛煜 .
中国专利 :CN112764246B ,2021-05-07
[2]
一种铌酸锂电光调制器 [P]. 
周建伟 ;
夏君磊 ;
郑国康 ;
刘瑞丹 ;
乔建坤 ;
宁智超 ;
徐玉亮 .
中国专利 :CN108681111B ,2018-10-19
[3]
一种离子注入型铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
黄瑞 ;
梁月 ;
梁磊 ;
骆晨 ;
王伟 .
中国专利 :CN121028441A ,2025-11-28
[4]
一种铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
陈玉萍 ;
刘一岸 ;
陈险峰 ;
颜雄硕 .
中国专利 :CN114609805B ,2025-04-18
[5]
一种铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
陈玉萍 ;
刘一岸 ;
陈险峰 ;
颜雄硕 .
中国专利 :CN114609805A ,2022-06-10
[6]
一种铌酸锂电光调制器芯片 [P]. 
周建伟 ;
夏君磊 ;
刘瑞丹 ;
宁智超 ;
乔建坤 ;
徐玉亮 .
中国专利 :CN207752267U ,2018-08-21
[7]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN119087705A ,2024-12-06
[8]
一种铌酸锂电光调制器芯片 [P]. 
周建伟 ;
夏君磊 ;
郑国康 ;
刘瑞丹 ;
乔建坤 ;
宁智超 ;
徐玉亮 .
中国专利 :CN108663827A ,2018-10-16
[9]
一种铌酸锂电光调制器及其制备方法与应用 [P]. 
黄瑞 ;
张鑫 ;
梁磊 ;
骆晨 ;
王伟 .
中国专利 :CN120447241A ,2025-08-08
[10]
一种耐高温的铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
华平壤 ;
张培 .
中国专利 :CN113189799A ,2021-07-30
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