SiC MOS电容器件制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910183875.2

申请日：

2019-03-12

公开(公告)号：

CN109950327A

公开(公告)日：

2019-06-28

发明(设计)人：

王世海许恒宇万彩萍金智

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2994

IPC分类号：

H01L21329 H01L2916

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

程殿军

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/94 申请公布日:20190628
2019-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/94 申请日:20190312
2019-06-28	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS电容器的制作方法以及MOS电容器 [P].

张子莹 .

中国专利 :CN103367141A ,2013-10-23

[2]

电容器器件结构、电容器及电容器的制造方法 [P].

张国祯 ;

刘昌 .

中国专利 :CN108336070A ,2018-07-27

[3]

MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路 [P].

刘思麟 ;

洪照俊 ;

彭永州 .

中国专利 :CN107564970A ,2018-01-09

[4]

一种碳化硅MOS电容器件及其制作方法 [P].

罗志鹏 ;

许恒宇 ;

金智 ;

万彩萍 .

中国专利 :CN111415866A ,2020-07-14

[5]

MOS电容器、其制造方法及使用该电容器的半导体器件 [P].

林庭燮 .

中国专利 :CN103545383B ,2014-01-29

[6]

一种MOS电容器件及其制造方法 [P].

王芳 ;

傅焕松 .

中国专利 :CN113629041A ,2021-11-09

[7]

一种MOS电容器件及其制造方法 [P].

王芳 ;

傅焕松 .

中国专利 :CN113629041B ,2024-09-27

[8]

纳米结构MOS电容器 [P].

L-E·沃纳森 .

中国专利 :CN102084488A ,2011-06-01

[9]

基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法 [P].

程新红 ;

王谦 ;

李静杰 ;

郑理 ;

沈玲燕 ;

张栋梁 ;

顾子悦 ;

钱茹 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN107507829A ,2017-12-22

[10]

电容器、电容器的制备方法与半导体器件 [P].

金学云 ;

金成哲 ;

罗珉权 ;

朱宁炳 .

中国专利 :CN120152304A ,2025-06-13

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