肖特基势垒半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710138424.4

申请日：

2007-07-27

公开(公告)号：

CN101114670B

公开(公告)日：

2008-01-30

发明(设计)人：

大西一洋

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2947 H01L2941

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张鑫

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-01	授权	授权
2021-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20070727 授权公告日:20101201 终止日期:20200727
2009-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-01-30	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC肖特基势垒半导体器件 [P].

西尾让司 ;

铃木拓马 ;

太田千春 ;

四户孝 .

中国专利 :CN101221989A ,2008-07-16

[2]

肖特基势垒器件 [P].

梁维佳 ;

李静怡 ;

周源 .

中国专利 :CN216435912U ,2022-05-03

[3]

一种肖特基势垒半导体的制备方法及肖特基势垒半导体 [P].

祁晓玉 ;

颜天才 ;

吕昆谚 ;

杨列勇 ;

陈为玉 .

中国专利 :CN118866681A ,2024-10-29

[4]

结势垒肖特基器件和结势垒肖特基装置 [P].

S·拉斯库纳 ;

G·贝洛基 ;

M·桑托罗 .

中国专利 :CN217405436U ,2022-09-09

[5]

斜沟槽肖特基势垒整流器件 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN203300654U ,2013-11-20

[6]

用于形成具有肖特基势垒结构的沟槽半导体器件的方法 [P].

M·汤马森 ;

M·T·奎杜斯 ;

M·马德霍尔卡 .

中国专利 :CN110797264A ,2020-02-14

[7]

一种超势垒半导体整流器件 [P].

朱袁正 ;

丁磊 ;

叶鹏 ;

程月东 .

中国专利 :CN201829501U ,2011-05-11

[8]

高温半导体势垒区 [P].

刘楟 ;

费伦·苏阿雷兹 ;

阿尔森·苏凯尔斯彦 ;

艾默里克·马罗斯 .

中国专利 :CN112119506A ,2020-12-22

[9]

碳化硅结势垒肖特基半导体器件及其制造方法 [P].

陈道坤 ;

林苡任 ;

史波 ;

曾丹 .

中国专利 :CN113937168A ,2022-01-14

[10]

隧道势垒肖特基 [P].

楚荣明 ;

曹宇 ;

李子健 ;

亚当·J·威廉斯 .

中国专利 :CN108028285A ,2018-05-11

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