隧道势垒肖特基

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680055297.9

申请日：

2016-04-15

公开(公告)号：

CN108028285A

公开(公告)日：

2018-05-11

发明(设计)人：

楚荣明曹宇李子健亚当·J·威廉斯

申请人：

申请人地址：

美国加州

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2947

代理机构：

北京泰吉知识产权代理有限公司 11355

代理人：

张雅军;許榮文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-11	公开	公开
2021-02-09	授权	授权
2018-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20160415

共 50 条

[1]

结势垒肖特基器件和结势垒肖特基装置 [P].

S·拉斯库纳 ;

G·贝洛基 ;

M·桑托罗 .

中国专利 :CN217405436U ,2022-09-09

[2]

肖特基势垒器件 [P].

梁维佳 ;

李静怡 ;

周源 .

中国专利 :CN216435912U ,2022-05-03

[3]

肖特基势垒集成电路 [P].

J·P·斯奈德 ;

J·M·拉森 .

中国专利 :CN1871707A ,2006-11-29

[4]

肖特基势垒二极管 [P].

宫崎爱子 ;

荒川贵博 ;

川上友之 ;

小林悟史 .

日本专利 :CN118016697A ,2024-05-10

[5]

一种肖特基势垒半导体的制备方法及肖特基势垒半导体 [P].

祁晓玉 ;

颜天才 ;

吕昆谚 ;

杨列勇 ;

陈为玉 .

中国专利 :CN118866681A ,2024-10-29

[6]

具有肖特基势垒控制层的MOS器件 [P].

A·巴哈拉 ;

王晓彬 ;

潘继 ;

S-P·魏 .

中国专利 :CN101465375B ,2009-06-24

[7]

肖特基势垒半导体器件 [P].

大西一洋 .

中国专利 :CN101114670B ,2008-01-30

[8]

MOS结势垒肖特基二极管 [P].

吴郁 ;

雷婧 ;

刘梦 ;

宋金辉 ;

周新田 ;

王智勇 .

中国专利 :CN119947140A ,2025-05-06

[9]

具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管 [P].

刘彦涛 ;

王斌 ;

黄福成 ;

田振兴 .

中国专利 :CN103943687A ,2014-07-23

[10]

肖特基势垒二极管 [P].

有马润 ;

藤田实 ;

川崎克己 ;

平林润 .

中国专利 :CN114830353A ,2022-07-29

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