多孔中空二氧化硅纳米颗粒、所述二氧化硅纳米颗粒的制备方法以及包含所述二氧化硅纳米颗粒的药物载体和药物组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980000003.2

申请日：

2009-01-09

公开(公告)号：

CN101687632B

公开(公告)日：

2010-03-31

发明(设计)人：

咸承柱徐桭锡许镛敏尹昊勤梁在文李在元康珍英

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

刘晓东;彭鲲鹏

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 3/00 申请日:20090109 授权公告日:20140402 终止日期:20180109
2010-03-31	公开	公开
2010-05-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001749292 IPC(主分类):B82B 3/00 专利申请号:2009800000032 申请日:20090109
2014-04-02	授权	授权

共 50 条

[1]

表面改性二氧化硅纳米颗粒的制造方法以及表面改性二氧化硅纳米颗粒 [P].

柳田浩治 ;

中杉茂正 ;

仁川裕 ;

片山朋英 ;

坂本胜幸 .

中国专利 :CN106414328A ,2017-02-15

[2]

二氧化硅颗粒以及二氧化硅颗粒的制备方法 [P].

奥野广良 ;

井上敏司 ;

饭田能史 ;

中岛与人 ;

钱谷优香 ;

惠利祥史 ;

角仓康夫 ;

师冈泰久 ;

野崎骏介 ;

岩永猛 ;

竹内荣 .

中国专利 :CN106517214A ,2017-03-22

[3]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN118145659A ,2024-06-07

[4]

二氧化硅颗粒和二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

加藤怜实 ;

平野义宏 ;

木村将也 ;

河本宗范 ;

夫马康博 ;

三木万海 .

日本专利 :CN120035564A ,2025-05-23

[5]

中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

松原俊哉 ;

金贤枝 ;

片山肇 ;

荒井雄介 .

日本专利 :CN115210179B ,2024-03-29

[6]

通过二氧化硅致密化改进的荧光二氧化硅纳米颗粒 [P].

U·B·维斯纳 ;

E·赫兹 ;

H·奥 .

中国专利 :CN102459062B ,2012-05-16

[7]

二氧化硅颗粒、二氧化硅颗粒的制造方法和树脂颗粒 [P].

吉川英昭 ;

钱谷优香 ;

奥野广良 ;

川岛信一郎 ;

角仓康夫 ;

野崎骏介 ;

竹内荣 .

中国专利 :CN102862991B ,2013-01-09

[8]

基于二氧化硅的荧光纳米颗粒 [P].

米歇尔·布拉德伯里 ;

乌尔里希·威斯纳 ;

欧拉·佩尼亚特·梅金娜 ;

霍斯文·欧 ;

安德鲁·伯恩斯 ;

贾森·刘易斯 ;

史蒂文·拉森 .

中国专利 :CN102713612B ,2012-10-03

[9]

基于二氧化硅的荧光纳米颗粒 [P].

米歇尔·布拉德伯里 ;

乌尔里希·威斯纳 ;

欧拉·佩尼亚特·梅金娜 ;

霍斯文·欧 ;

安德鲁·伯恩斯 ;

贾森·刘易斯 ;

史蒂文·拉森 .

中国专利 :CN106421817A ,2017-02-22

[10]

多孔二氧化硅颗粒组合物 [P].

宝田光仁 ;

川口博志 ;

柴田铁平 ;

深美忠司 ;

吉海直志 ;

上野树 ;

中嶋阳 ;

大贯哲也 ;

坂井仁 .

中国专利 :CN112805241A ,2021-05-14

← 1 2 3 4 5 →