低压大电流Mosfet功率模块

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201621024060.8

申请日：

2016-08-31

公开(公告)号：

CN206164351U

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

侯鸿斌李震侯镜波

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市南沙区东涌镇昌利工业城C12

IPC主分类号：

H02M1088

IPC分类号：

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

张耐寒;占伟彬

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	授权	授权

共 50 条

[1]

低压大电流Mosfet功率模块 [P].

侯鸿斌 ;

李震 ;

侯镜波 .

中国专利 :CN106253644A ,2016-12-21

[2]

一种低压大电流Mosfet功率模块 [P].

李炘 ;

陈春雨 .

中国专利 :CN214753723U ,2021-11-16

[3]

一种低压大电流Mosfet功率模块 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208623537U ,2019-03-19

[4]

一种低压大电流Mosfet功率芯片 [P].

刘本强 ;

陈翔 .

中国专利 :CN112133680B ,2020-12-25

[5]

一种低压大电流沟槽型功率MOSFET器件 [P].

谈益民 .

中国专利 :CN218351447U ,2023-01-20

[6]

大电流功率模块烧结夹具 [P].

李亮亮 .

中国专利 :CN216793615U ,2022-06-21

[7]

低压大电流三相驱动功率模块组结构 [P].

张红霞 ;

罗建武 ;

吴杰余 ;

王洪涛 ;

黄春春 ;

尹国慧 .

中国专利 :CN102412704B ,2012-04-11

[8]

低压大电流三相驱动功率模块组连接固定结构 [P].

张红霞 ;

罗建武 ;

吴杰余 ;

王洪涛 ;

黄春春 ;

尹国慧 .

中国专利 :CN202334264U ,2012-07-11

[9]

一种低压大电流功率VDMOS [P].

万立宏 ;

范捷 ;

王绍荣 .

中国专利 :CN208674123U ,2019-03-29

[10]

中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路 [P].

钟任生 .

中国专利 :CN211652985U ,2020-10-09

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