一种低压大电流Mosfet功率模块

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202121266991.X
申请日
2021-06-08
公开(公告)号
CN214753723U
公开(公告)日
2021-11-16
发明(设计)人
李炘 陈春雨
申请人
申请人地址
710000 陕西省西安市高新区丈八街办上林苑一路15号A栋A-205室
IPC主分类号
H01L23367
IPC分类号
H01L23427 H01L23473 H01L2507 H01L2978
代理机构
西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙) 61233
代理人
李英俊
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
低压大电流Mosfet功率模块 [P]. 
侯鸿斌 ;
李震 ;
侯镜波 .
中国专利 :CN206164351U ,2017-05-10
[2]
一种低压大电流Mosfet功率模块 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208623537U ,2019-03-19
[3]
低压大电流Mosfet功率模块 [P]. 
侯鸿斌 ;
李震 ;
侯镜波 .
中国专利 :CN106253644A ,2016-12-21
[4]
一种低压大电流Mosfet功率芯片 [P]. 
刘本强 ;
陈翔 .
中国专利 :CN112133680B ,2020-12-25
[5]
一种低压大电流沟槽型功率MOSFET器件 [P]. 
谈益民 .
中国专利 :CN218351447U ,2023-01-20
[6]
一种低压大电流功率VDMOS [P]. 
万立宏 ;
范捷 ;
王绍荣 .
中国专利 :CN208674123U ,2019-03-29
[7]
一种功率模块大电流测试平台 [P]. 
张斌 ;
李泽绵 ;
林资旭 ;
张岩 ;
霍孟雨 ;
王九思 .
中国专利 :CN211698037U ,2020-10-16
[8]
大电流功率模块烧结夹具 [P]. 
李亮亮 .
中国专利 :CN216793615U ,2022-06-21
[9]
低压大电流三相驱动功率模块组结构 [P]. 
张红霞 ;
罗建武 ;
吴杰余 ;
王洪涛 ;
黄春春 ;
尹国慧 .
中国专利 :CN102412704B ,2012-04-11
[10]
低压大电流三相驱动功率模块组连接固定结构 [P]. 
张红霞 ;
罗建武 ;
吴杰余 ;
王洪涛 ;
黄春春 ;
尹国慧 .
中国专利 :CN202334264U ,2012-07-11