一种半导体结构及其制备方法和半导体器件

被引：0

申请号：

CN202011065517.0

申请日：

2020-09-30

公开(公告)号：

CN114334973A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

李相遇李俊杰周娜

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2711524 H01L2711551 H01L271157 H01L2711578 H01L21205

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

金铭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20200930
2022-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法和半导体器件 [P].

刘莹 .

中国专利 :CN118299353A ,2024-07-05

[2]

半导体结构和制造半导体器件的方法 [P].

石哲齐 ;

陈思桦 ;

罗浥瑄 ;

杨固峰 ;

温伟源 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN118380435A ,2024-07-23

[3]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

刘洋 ;

李松雨 ;

陶大伟 .

中国专利 :CN118102710A ,2024-05-28

[4]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

廖学海 ;

明玉坤 ;

邹鹏 .

中国专利 :CN121099680A ,2025-12-09

[5]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张旭 ;

储郁冬 ;

陆琦 ;

赵天楚 .

中国专利 :CN118866807A ,2024-10-29

[6]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

周维杰 ;

常靖华 .

中国专利 :CN119866047A ,2025-04-22

[7]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118800771A ,2024-10-18

[8]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

曹先雷 .

中国专利 :CN114792756A ,2022-07-26

[9]

半导体结构、半导体器件及其制备方法 [P].

魏峰 ;

相奇 .

中国专利 :CN114334621A ,2022-04-12

[10]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

李兆松 ;

李思晢 ;

单传海 ;

鲁周阳 ;

毛晓明 ;

高晶 ;

刘静 ;

霍宗亮 ;

谢雷 .

中国专利 :CN114361169A ,2022-04-15

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