金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710188701.6

申请日：

2017-03-27

公开(公告)号：

CN106981512A

公开(公告)日：

2017-07-25

发明(设计)人：

王宏兴王艳丰王玮常晓慧李硕业张景文卜忍安侯洵

申请人：

申请人地址：

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2910 H01L21335

代理机构：

陕西增瑞律师事务所 61219

代理人：

刘春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101742558853 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2017101887016 申请日:20170327
2019-12-13	授权	授权

共 50 条

[1]

界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法 [P].

王玮 ;

王宏兴 ;

林芳 ;

张明辉 ;

问峰 ;

王艳丰 ;

陈根强 ;

卜忍安 .

中国专利 :CN109904228A ,2019-06-18

[2]

低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法 [P].

王玮 ;

王宏兴 ;

张明辉 ;

林芳 ;

问峰 ;

王艳丰 ;

陈根强 ;

卜忍安 .

中国专利 :CN109904227B ,2019-06-18

[3]

金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其制备方法 [P].

王宏兴 ;

王艳丰 ;

王玮 ;

常晓慧 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN107104141A ,2017-08-29

[4]

一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法 [P].

王玮 ;

王宏兴 ;

问峰 ;

王艳丰 ;

张明辉 ;

林芳 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN109378312B ,2019-02-22

[5]

金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法 [P].

王玮 ;

王宏兴 ;

胡超 ;

李奉南 ;

李硕业 ;

刘璋成 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN104992974A ,2015-10-21

[6]

氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其制备方法 [P].

王宏兴 ;

王艳丰 ;

常晓慧 ;

王玮 ;

问峰 ;

王若铮 ;

侯洵 .

中国专利 :CN109920736A ,2019-06-21

[7]

一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法 [P].

王玮 ;

王宏兴 ;

问峰 ;

王艳丰 ;

林芳 ;

张明辉 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN109285894A ,2019-01-29

[8]

氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用 [P].

张明辉 ;

王宏兴 ;

王玮 ;

吴化雄 ;

问峰 ;

林芳 ;

杜宇翔 ;

张倩文 ;

谢睿 ;

陈根强 ;

王艳丰 ;

张鹏飞 .

中国专利 :CN118150665A ,2024-06-07

[9]

一种增强型金刚石基场效应晶体管及其制备方法 [P].

刘本建 ;

张文超 ;

刘康 ;

赵继文 ;

张森 ;

代兵 ;

朱嘉琦 .

中国专利 :CN118448467A ,2024-08-06

[10]

硅终端金刚石场效应晶体管及其制备方法 [P].

蔚翠 ;

何泽召 ;

周闯杰 ;

郭建超 ;

马孟宇 ;

余浩 ;

刘庆彬 ;

张雄文 ;

宋旭波 ;

冯志红 .

中国专利 :CN113871464A ,2021-12-31

← 1 2 3 4 5 →