低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910194062.3

申请日：

2019-03-14

公开(公告)号：

CN109904227B

公开(公告)日：

2019-06-18

发明(设计)人：

王玮王宏兴张明辉林芳问峰王艳丰陈根强卜忍安

申请人：

申请人地址：

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2947 H01L21335

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

徐文权

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20190314
2021-01-19	授权	授权
2019-06-18	公开	公开

共 50 条

[1]

金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法 [P].

王宏兴 ;

王艳丰 ;

王玮 ;

常晓慧 ;

李硕业 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN106981512A ,2017-07-25

[2]

金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法 [P].

王玮 ;

王宏兴 ;

胡超 ;

李奉南 ;

李硕业 ;

刘璋成 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN104992974A ,2015-10-21

[3]

一种增强型金刚石基场效应晶体管及其制备方法 [P].

刘本建 ;

张文超 ;

刘康 ;

赵继文 ;

张森 ;

代兵 ;

朱嘉琦 .

中国专利 :CN118448467A ,2024-08-06

[4]

金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其制备方法 [P].

王宏兴 ;

王艳丰 ;

王玮 ;

常晓慧 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN107104141A ,2017-08-29

[5]

氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其制备方法 [P].

王宏兴 ;

王艳丰 ;

常晓慧 ;

王玮 ;

问峰 ;

王若铮 ;

侯洵 .

中国专利 :CN109920736A ,2019-06-21

[6]

界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法 [P].

王玮 ;

王宏兴 ;

林芳 ;

张明辉 ;

问峰 ;

王艳丰 ;

陈根强 ;

卜忍安 .

中国专利 :CN109904228A ,2019-06-18

[7]

一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法 [P].

王玮 ;

王宏兴 ;

问峰 ;

王艳丰 ;

林芳 ;

张明辉 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN109285894A ,2019-01-29

[8]

金刚石基场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管 [P].

王晶晶 ;

冯志红 ;

蔚翠 ;

周闯杰 ;

郭建超 ;

何泽召 ;

刘庆彬 ;

高学栋 .

中国专利 :CN107393815B ,2017-11-24

[9]

一种金刚石环栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

刘志宏 ;

许美 ;

邢伟川 ;

侯松岩 ;

周瑾 ;

刘先河 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789467B ,2025-09-30

[10]

一种金刚石环栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

刘志宏 ;

许美 ;

邢伟川 ;

侯松岩 ;

周瑾 ;

刘先河 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789467A ,2025-04-08

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