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高介电常数金属栅的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011171782.7
申请日
:
2020-10-28
公开(公告)号
:
CN112289747A
公开(公告)日
:
2021-01-29
发明(设计)人
:
于嫚
史志界
林宗模
申请人
:
申请人地址
:
201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L218238
IPC分类号
:
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-02-23
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20201028
2021-01-29
公开
公开
共 50 条
[1]
高介电常数金属栅的制造方法
[P].
归琰
论文数:
0
引用数:
0
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0
归琰
;
成鑫华
论文数:
0
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0
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0
成鑫华
;
姜兰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
姜兰
.
中国专利
:CN114496920A
,2022-05-13
[2]
高介电常数金属栅及其制造方法
[P].
王诗昊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王诗昊
.
中国专利
:CN115483278A
,2022-12-16
[3]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
[P].
李勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李勇
.
中国专利
:CN113644050A
,2021-11-12
[4]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
[P].
李勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李勇
.
中国专利
:CN113644134A
,2021-11-12
[5]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
[P].
李勇
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
李勇
.
中国专利
:CN113644051B
,2024-06-11
[6]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
[P].
李勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
李勇
.
中国专利
:CN113644134B
,2024-10-25
[7]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
[P].
李勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
李勇
.
中国专利
:CN113644050B
,2024-06-11
[8]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
[P].
李勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李勇
.
中国专利
:CN113644051A
,2021-11-12
[9]
NMOS和PMOS的高介电常数金属栅的制造方法
[P].
麻尉蔚
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
麻尉蔚
;
黄然
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
黄然
;
周维
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
周维
.
中国专利
:CN117352460A
,2024-01-05
[10]
高介电常数金属栅极制造方法
[P].
李凤莲
论文数:
0
引用数:
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李凤莲
;
倪景华
论文数:
0
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0
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0
倪景华
.
中国专利
:CN103367133A
,2013-10-23
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