高介电常数金属栅的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011171782.7
申请日
2020-10-28
公开(公告)号
CN112289747A
公开(公告)日
2021-01-29
发明(设计)人
于嫚 史志界 林宗模
申请人
申请人地址
201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L218238
IPC分类号
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
高介电常数金属栅的制造方法 [P]. 
归琰 ;
成鑫华 ;
姜兰 .
中国专利 :CN114496920A ,2022-05-13
[2]
高介电常数金属栅及其制造方法 [P]. 
王诗昊 .
中国专利 :CN115483278A ,2022-12-16
[3]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN113644050A ,2021-11-12
[4]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN113644134A ,2021-11-12
[5]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN113644051B ,2024-06-11
[6]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN113644134B ,2024-10-25
[7]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN113644050B ,2024-06-11
[8]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN113644051A ,2021-11-12
[9]
NMOS和PMOS的高介电常数金属栅的制造方法 [P]. 
麻尉蔚 ;
黄然 ;
周维 .
中国专利 :CN117352460A ,2024-01-05
[10]
高介电常数金属栅极制造方法 [P]. 
李凤莲 ;
倪景华 .
中国专利 :CN103367133A ,2013-10-23