高介电常数金属栅极制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210087289.6

申请日：

2012-03-29

公开(公告)号：

CN103367133A

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

李凤莲倪景华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	授权	授权
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542140409 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2012100872896 申请日:20120329
2013-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

高介电常数金属栅极制造方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103177945A ,2013-06-26

[2]

高介电常数金属栅极器件及其制造方法 [P].

白文琦 ;

王世铭 ;

黄志森 ;

胡展源 .

中国专利 :CN110491775A ,2019-11-22

[3]

高介电常数金属栅极半导体器件制造方法 [P].

林静 .

中国专利 :CN103165440A ,2013-06-19

[4]

高介电常数金属栅的制造方法 [P].

于嫚 ;

史志界 ;

林宗模 .

中国专利 :CN112289747A ,2021-01-29

[5]

一种高介电常数介质-金属栅极的制造方法 [P].

刘金华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN102456558A ,2012-05-16

[6]

高介电常数金属栅的制造方法 [P].

归琰 ;

成鑫华 ;

姜兰 .

中国专利 :CN114496920A ,2022-05-13

[7]

高介电常数金属栅及其制造方法 [P].

王诗昊 .

中国专利 :CN115483278A ,2022-12-16

[8]

栅极先制的高介电常数金属栅极方法所形成的全硅化栅极 [P].

S·弗莱克豪斯基 ;

G·斯彻特茨施 ;

J·亨治尔 .

中国专利 :CN104377169A ,2015-02-25

[9]

高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法 [P].

李达元 ;

许光源 ;

于雄飞 ;

李威养 ;

叶明熙 .

中国专利 :CN102103994A ,2011-06-22

[10]

一种高介电常数栅介质‑金属栅极的IGBT [P].

徐光 .

中国专利 :CN206003774U ,2017-03-08

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