高介电常数金属栅极器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910777192.X
申请日
2019-08-22
公开(公告)号
CN110491775A
公开(公告)日
2019-11-22
发明(设计)人
白文琦 王世铭 黄志森 胡展源
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
H01L29423
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
戴广志
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
高介电常数金属栅极半导体器件制造方法 [P]. 
林静 .
中国专利 :CN103165440A ,2013-06-19
[2]
高介电常数金属栅极制造方法 [P]. 
李凤莲 ;
倪景华 .
中国专利 :CN103177945A ,2013-06-26
[3]
高介电常数金属栅极制造方法 [P]. 
李凤莲 ;
倪景华 .
中国专利 :CN103367133A ,2013-10-23
[4]
高介电常数金属栅及其制造方法 [P]. 
王诗昊 .
中国专利 :CN115483278A ,2022-12-16
[5]
一种高介电常数介质-金属栅极的制造方法 [P]. 
刘金华 ;
吴汉明 .
中国专利 :CN102456558A ,2012-05-16
[6]
高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法 [P]. 
李达元 ;
许光源 ;
于雄飞 ;
李威养 ;
叶明熙 .
中国专利 :CN102103994A ,2011-06-22
[7]
高介电常数金属栅的制造方法 [P]. 
于嫚 ;
史志界 ;
林宗模 .
中国专利 :CN112289747A ,2021-01-29
[8]
高介电常数金属栅的制造方法 [P]. 
归琰 ;
成鑫华 ;
姜兰 .
中国专利 :CN114496920A ,2022-05-13
[9]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN115000170A ,2022-09-02
[10]
高介电常数绝缘层金属栅半导体器件制造方法 [P]. 
韦庆松 ;
于书坤 .
中国专利 :CN104733388A ,2015-06-24