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高介电常数金属栅极器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910777192.X
申请日
:
2019-08-22
公开(公告)号
:
CN110491775A
公开(公告)日
:
2019-11-22
发明(设计)人
:
白文琦
王世铭
黄志森
胡展源
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L29423
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
戴广志
法律状态
:
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-12-09
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20191122
2019-12-17
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190822
共 50 条
[1]
高介电常数金属栅极半导体器件制造方法
[P].
林静
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林静
.
中国专利
:CN103165440A
,2013-06-19
[2]
高介电常数金属栅极制造方法
[P].
李凤莲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李凤莲
;
倪景华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
倪景华
.
中国专利
:CN103177945A
,2013-06-26
[3]
高介电常数金属栅极制造方法
[P].
李凤莲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李凤莲
;
倪景华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
倪景华
.
中国专利
:CN103367133A
,2013-10-23
[4]
高介电常数金属栅及其制造方法
[P].
王诗昊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王诗昊
.
中国专利
:CN115483278A
,2022-12-16
[5]
一种高介电常数介质-金属栅极的制造方法
[P].
刘金华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘金华
;
吴汉明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴汉明
.
中国专利
:CN102456558A
,2012-05-16
[6]
高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法
[P].
李达元
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李达元
;
许光源
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许光源
;
于雄飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
于雄飞
;
李威养
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李威养
;
叶明熙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
叶明熙
.
中国专利
:CN102103994A
,2011-06-22
[7]
高介电常数金属栅的制造方法
[P].
于嫚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
于嫚
;
史志界
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
史志界
;
林宗模
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林宗模
.
中国专利
:CN112289747A
,2021-01-29
[8]
高介电常数金属栅的制造方法
[P].
归琰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
归琰
;
成鑫华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
成鑫华
;
姜兰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
姜兰
.
中国专利
:CN114496920A
,2022-05-13
[9]
高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法
[P].
李勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李勇
.
中国专利
:CN115000170A
,2022-09-02
[10]
高介电常数绝缘层金属栅半导体器件制造方法
[P].
韦庆松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
韦庆松
;
于书坤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
于书坤
.
中国专利
:CN104733388A
,2015-06-24
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