高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010151101.0

申请日：

2010-03-23

公开(公告)号：

CN102103994A

公开(公告)日：

2011-06-22

发明(设计)人：

李达元许光源于雄飞李威养叶明熙

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21283

代理机构：

北京市德恒律师事务所 11306

代理人：

陆鑫;高雪琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	授权	授权
2011-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101094138897 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2010101511010 申请日:20100323
2011-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

包括具有高介电常数栅极介电层的字元线结构的存储器元件及其制造方法 [P].

庄英政 .

中国专利 :CN120343910A ,2025-07-18

[2]

包括具有高介电常数栅极介电层的字元线结构的存储器元件及其制造方法 [P].

庄英政 .

中国专利 :CN120343905A ,2025-07-18

[3]

具有高介电常数介电层的栅极结构 [P].

邱显光 ;

彭宝庆 ;

陶宏远 .

中国专利 :CN2713646Y ,2005-07-27

[4]

高介电常数金属栅极制造方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103177945A ,2013-06-26

[5]

高介电常数金属栅极制造方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103367133A ,2013-10-23

[6]

高介电常数金属栅极器件及其制造方法 [P].

白文琦 ;

王世铭 ;

黄志森 ;

胡展源 .

中国专利 :CN110491775A ,2019-11-22

[7]

具有高介电常数栅极介电层的半导体组件及其制造方法 [P].

王志豪 ;

胡正明 .

中国专利 :CN100369263C ,2005-07-13

[8]

具有高介电常数栅极介电层的半导体组件 [P].

王志豪 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2743980Y ,2005-11-30

[9]

具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法 [P].

邱显光 ;

彭宝庆 ;

陶宏远 .

中国专利 :CN1577748A ,2005-02-09

[10]

高介电常数栅极介电材料的形成方法与半导体元件 [P].

欧阳晖 ;

尚·路克·艾佛拉特 ;

萝拉·宁斯 ;

莉塔·沃斯 .

中国专利 :CN101425457B ,2009-05-06

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