共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
包括具有高介电常数栅极介电层的字元线结构的存储器元件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410434409.8
申请日：
2024-04-11
公开(公告)号：
CN120343905A
公开(公告)日：
2025-07-18
发明(设计)人：
庄英政
申请人：
南亚科技股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新北市
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人：
李南山
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-08-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20240411 |
| 2025-07-18 | 公开 | 公开 |