具有高介电常数栅极介电层的半导体组件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200420084727.4

申请日：

2004-08-03

公开(公告)号：

CN2743980Y

公开(公告)日：

2005-11-30

发明(设计)人：

王志豪胡正明

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L27088

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

王一斌

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-11-30	授权	授权
2014-09-10	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101586882360 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2004200847274 申请日:20040803 授权公告日:20051130 期满终止日期:20140803

共 50 条

[1]

具有高介电常数栅极介电层的半导体组件及其制造方法 [P].

王志豪 ;

胡正明 .

中国专利 :CN100369263C ,2005-07-13

[2]

具有高介电常数介电层的栅极结构 [P].

邱显光 ;

彭宝庆 ;

陶宏远 .

中国专利 :CN2713646Y ,2005-07-27

[3]

具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法 [P].

邱显光 ;

彭宝庆 ;

陶宏远 .

中国专利 :CN1577748A ,2005-02-09

[4]

具有内界面层与高介电常数介电层的半导体装置 [P].

庄国胜 ;

周友华 ;

黄铭淇 .

中国专利 :CN109216441A ,2019-01-15

[5]

高介电常数栅极介电材料的形成方法与半导体元件 [P].

欧阳晖 ;

尚·路克·艾佛拉特 ;

萝拉·宁斯 ;

莉塔·沃斯 .

中国专利 :CN101425457B ,2009-05-06

[6]

高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法 [P].

李达元 ;

许光源 ;

于雄飞 ;

李威养 ;

叶明熙 .

中国专利 :CN102103994A ,2011-06-22

[7]

具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法 [P].

郑双铭 ;

叶明灵 ;

包天一 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN100369233C ,2006-08-09

[8]

半导体组件的内层介电层及半导体组件 [P].

黄泰钧 ;

姚志翔 ;

林义雄 ;

包天一 ;

陈笔聪 ;

卢永诚 .

中国专利 :CN2765326Y ,2006-03-15

[9]

高介电常数介电层的形成方法、半导体装置及其制造方法 [P].

张世勋 ;

颜丰裕 ;

林秉顺 ;

金鹰 ;

陶宏远 .

中国专利 :CN100517601C ,2007-06-20

[10]

具有高介电常数材料的半导体结构 [P].

贾迈勒·拉姆丹 ;

拉温德拉奈斯·德鲁普德 ;

林德·希尔顿 ;

简·柯利斯 ;

斯特凡·佐尔纳 .

中国专利 :CN1475027A ,2004-02-11

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