具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510088983.X

申请日：

2005-08-04

公开(公告)号：

CN100369233C

公开(公告)日：

2006-08-09

发明(设计)人：

郑双铭叶明灵包天一林耕竹

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2131 H01L2352

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

刘亚文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-02-13	授权	授权
2006-08-09	公开	公开

共 50 条

[1]

处理低介电常数介电层的方法 [P].

王静亚 ;

曾伟雄 ;

罗冠胜 .

中国专利 :CN100376019C ,2006-04-05

[2]

半导体元件及其制造方法 [P].

林耕竹 ;

郑双铭 ;

叶明灵 ;

包天一 .

中国专利 :CN100403514C ,2006-08-09

[3]

具有高介电常数栅极介电层的半导体组件 [P].

王志豪 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2743980Y ,2005-11-30

[4]

具有高介电常数栅极介电层的半导体组件及其制造方法 [P].

王志豪 ;

胡正明 .

中国专利 :CN100369263C ,2005-07-13

[5]

低介电常数介电质层的蚀刻方法 [P].

聂俊峰 ;

王清帆 ;

郑丰绪 ;

陈振隆 .

中国专利 :CN1523646A ,2004-08-25

[6]

具有低介电常数的高热导层的半导体组件的制造方法 [P].

蒋星星 .

中国专利 :CN1378249A ,2002-11-06

[7]

构图低介电常数介电层的方法 [P].

张鼎张 ;

刘柏村 ;

许钲宗 .

中国专利 :CN1257532C ,2003-10-22

[8]

低介电常数层的制造方法 [P].

黎丽萍 ;

吕新贤 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1327494C ,2004-06-02

[9]

制备具有超低介电常数薄膜的半导体元件的方法 [P].

郭徽腾 .

中国专利 :CN120184016A ,2025-06-20

[10]

低介电常数介电层的形成方法 [P].

陈奕伊 ;

包天一 ;

郑双铭 ;

余振华 .

中国专利 :CN101005023A ,2007-07-25

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