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制备具有超低介电常数薄膜的半导体元件的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311753810.X
申请日：
2023-12-18
公开(公告)号：
CN120184016A
公开(公告)日：
2025-06-20
发明(设计)人：
郭徽腾
申请人：
成都紫光半导体科技有限公司
申请人地址：
611730 四川省成都市成都高新区尚雅路7号附1号1楼
IPC主分类号：
H01L21/316
IPC分类号：
H01L21/67
代理机构：
北京英创嘉友知识产权代理有限公司 11447
代理人：
杨月
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-20 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/316申请日:20231218 |