具有高介电常数材料的半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01818861.3

申请日：

2001-10-15

公开(公告)号：

CN1475027A

公开(公告)日：

2004-02-11

发明(设计)人：

贾迈勒·拉姆丹拉温德拉奈斯·德鲁普德林德·希尔顿简·柯利斯斯特凡·佐尔纳

申请人：

申请人地址：

美国伊利诺斯

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2951

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-07-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2004-02-11	公开	公开

共 50 条

[1]

具有高介电常数介质层的半导体器件电容器的制造方法 [P].

李秉泽 ;

李起熏 .

中国专利 :CN1159763C ,1999-10-06

[2]

高介电常数材料 [P].

S·戈文达拉詹 .

中国专利 :CN1832143A ,2006-09-13

[3]

具有高介电常数栅极介电层的半导体组件 [P].

王志豪 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2743980Y ,2005-11-30

[4]

形成具有高介电常数的结构的方法和具有高介电常数的结构 [P].

巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 ;

约翰·A·斯迈思 .

中国专利 :CN101542657A ,2009-09-23

[5]

包括高介电常数绝缘层的半导体器件及其制造方法 [P].

田尚勋 ;

崔圣圭 ;

金桢雨 ;

黄显相 ;

韩祯希 ;

崔相武 ;

朴星昊 .

中国专利 :CN100530691C ,2006-08-30

[6]

高介电常数栅极介电材料的形成方法与半导体元件 [P].

欧阳晖 ;

尚·路克·艾佛拉特 ;

萝拉·宁斯 ;

莉塔·沃斯 .

中国专利 :CN101425457B ,2009-05-06

[7]

具有可调介电常数和可调热导率的半导体材料 [P].

R·哈蒙德 ;

D·内尔森 ;

A·戈特 ;

R·佩尔策尔 ;

A·克拉克 .

中国专利 :CN114207782A ,2022-03-18

[8]

制造具有高介电常数栅极电介质的半导体器件的方法 [P].

贾斯廷·布拉斯克 ;

马克·多齐 ;

约翰·巴纳科 ;

罗伯特·周 .

中国专利 :CN100413087C ,2005-11-02

[9]

高介电常数金属栅极半导体器件制造方法 [P].

林静 .

中国专利 :CN103165440A ,2013-06-19

[10]

具有低介电常数间隔物的半导体结构及其制造方法 [P].

王祥保 ;

卢一斌 .

中国专利 :CN108231875A ,2018-06-29

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