具有可调介电常数和可调热导率的半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080052167.6

申请日：

2020-01-14

公开(公告)号：

CN114207782A

公开(公告)日：

2022-03-18

发明(设计)人：

R·哈蒙德 D·内尔森 A·戈特 R·佩尔策尔 A·克拉克

申请人：

申请人地址：

英国加的夫

IPC主分类号：

H01L213063

IPC分类号：

H01L2102 H01L2906

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

宋岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	公开	公开
2022-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3063 申请日:20200114

共 50 条

[1]

具有高介电常数材料的半导体结构 [P].

贾迈勒·拉姆丹 ;

拉温德拉奈斯·德鲁普德 ;

林德·希尔顿 ;

简·柯利斯 ;

斯特凡·佐尔纳 .

中国专利 :CN1475027A ,2004-02-11

[2]

具有降低的热导率、介电常数和重量的填充型复合材料 [P].

大卫·J·欧文 ;

艾伦·D·坂口 ;

阿莉莎·杰奎因 ;

加勒特·D·波耶 ;

尼科尔·兰丁 ;

迈克·默温 .

中国专利 :CN112739770A ,2021-04-30

[3]

制备具有超低介电常数薄膜的半导体元件的方法 [P].

郭徽腾 .

中国专利 :CN120184016A ,2025-06-20

[4]

制备低介电常数薄膜的方法和半导体结构 [P].

许正昱 ;

韩萍 ;

何忧 .

中国专利 :CN121087464A ,2025-12-09

[5]

具有高介电常数栅极介电层的半导体组件 [P].

王志豪 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2743980Y ,2005-11-30

[6]

一种有机半导体材料相对介电常数的测量方法 [P].

刘瑞兰 ;

唐超 ;

戎舟 ;

徐慧 ;

黄维 .

中国专利 :CN115825580B ,2025-08-05

[7]

降低半导体器件中有效介电常数的器件和方法 [P].

戴维·C·埃德尔斯坦 ;

马修·E·科尔伯恩 ;

艾德华·C·考尼三世 ;

蒂莫西·J·达尔顿 ;

约翰·A·菲茨西蒙斯 ;

杰弗里·P·加姆比诺 ;

黄遏明 ;

迈克尔·W·莱恩 ;

文森特·A·迈克加海伊 ;

李·M·尼科尔森 ;

萨亚纳拉亚纳·V·尼塔 ;

萨姆巴斯·普鲁肖塔曼 ;

苏加萨·桑卡兰 ;

托马斯·M·肖 ;

安德鲁·H·西蒙 ;

安托尼·K·斯塔姆伯 .

中国专利 :CN100428422C ,2005-08-03

[8]

具有低介电常数的多孔硅石涂层、半导体设备和涂料组合物 [P].

青木伦子 ;

清水泰雄 .

中国专利 :CN1196649C ,2002-07-24

[9]

使用低介电常数材料膜的半导体器件及其制造方法 [P].

小柳光正 .

中国专利 :CN1309077C ,2005-06-08

[10]

具有低介电常数间隔物的半导体结构及其制造方法 [P].

王祥保 ;

卢一斌 .

中国专利 :CN108231875A ,2018-06-29

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