具有低介电常数的多孔硅石涂层、半导体设备和涂料组合物

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN00810212.0
申请日
2000-06-20
公开(公告)号
CN1196649C
公开(公告)日
2002-07-24
发明(设计)人
青木伦子 清水泰雄
申请人
申请人地址
瑞士穆滕茨1(CH-4132)茹索茨大街61号
IPC主分类号
C01B3312
IPC分类号
H01L21312 H01L21768 C09D18316 C09D13300
代理机构
北京三幸商标专利事务所
代理人
刘激扬
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
具有低介电常数的多孔硅质膜和半导体装置及涂料组合物 [P]. 
青木伦子 ;
清水泰雄 .
中国专利 :CN1261509C ,2003-10-15
[2]
涂料组合物、多孔硅质膜、用于制备多孔硅质膜的方法以及半导体装置 [P]. 
青木伦子 ;
青木宏幸 .
中国专利 :CN1328346C ,2006-05-31
[3]
硅基组合物、低介电常数膜、半导体器件以及制造低介电常数膜的方法 [P]. 
中田义弘 ;
铃木克己 ;
杉浦严 ;
矢野映 .
中国专利 :CN1376740A ,2002-10-30
[4]
具有低介电常数间隔物的半导体结构及其制造方法 [P]. 
王祥保 ;
卢一斌 .
中国专利 :CN108231875A ,2018-06-29
[5]
制备低介电常数薄膜的方法和半导体结构 [P]. 
许正昱 ;
韩萍 ;
何忧 .
中国专利 :CN121087464A ,2025-12-09
[6]
一种半导体涂料组合物和光学半导体装置 [P]. 
褚雨露 ;
侯军 ;
贺剑锋 ;
张楠 .
中国专利 :CN117736620A ,2024-03-22
[7]
具有低介电常数绝缘膜的半导体器件及其制造方法 [P]. 
宇佐美达矢 ;
小田典明 .
中国专利 :CN1139977C ,1999-07-28
[8]
具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法 [P]. 
郑双铭 ;
叶明灵 ;
包天一 ;
林耕竹 .
中国专利 :CN100369233C ,2006-08-09
[9]
以低介电常数内连线隔离的半导体芯片 [P]. 
刘继文 ;
江国庆 ;
曾鸿辉 ;
章勋明 .
中国专利 :CN1770449A ,2006-05-10
[10]
低介电常数低损耗的组合物 [P]. 
刘若鹏 ;
徐冠雄 ;
胡侃 .
中国专利 :CN102702677A ,2012-10-03